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可控硅投切電容補償

來源:希拓電氣(上海)有限公司    日期:2019-04-11    瀏覽量:載入中...

       電壓是衡量供電質量的主要指標之一,假設電路的功率和電壓都是同端,且功率使用三相功率,則電壓電力系統的電力壓降示意圖可使用如圖1所示。

       電壓是衡量供電質量的主要指標之一,假設電路的功率和電壓都是同端,且功率使用三相功率,則電壓電力系統的電力壓降示意圖可使用如圖1所示。

       無功功率的平衡與電力系統的運行電壓水平密切相關。由于在通常的計算中,電壓損耗壓降與電壓降落的縱向分量在數值上很接近,一般使用電壓降的縱分向分量近似表示為電壓損耗壓降。

       因此,當系統有功功率定時,系統的無功電源比較充足,則系統的運行電壓水平就高;反之,無功不足就反映為電壓水平偏低。從改善電壓質量和降低網絡功耗考慮,應該盡量減少通過電網元件長距離和跨電壓級傳送無功功率,負載所需的無功功率應該盡量做到就地供應。

       通過改變并聯電容器的容量來改變無功功率,是當前無功補償最基本和被普遍采用的經濟有效的方法。無功補償裝置中最主要的元件就是電容器和電容器投切開關,而電容器投切的性能直接影響到電容器的使用壽命及補償效果,所以電容器投切開關的投切方法和控制性能至關重要。

晶閘管投切模塊(三相)

希拓電氣晶閘管投切模塊(三相)技術源自德國,我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上,研制出了擁有自主知識產權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發,電流過零斷開,真正實現投切無涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應時間小于18ms,很好地取代傳統投切裝置。

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